Дмитрий торопов олегович: Торопов Дмитрий Олегович – мануальный терапевт, невролог – 1 отзыв о враче, запись на приём в Москве – Zoon.ru

03.05.202311.02.2023 alexxlab 0 Комментариев

Содержание

Торопов Дмитрий Олегович — 2 отзыва | Москва

2 отзыва

Мануальный терапевт

Стаж 18 лет

1 категория

Торопов Дмитрий Олегович, Москва: мануальный терапевт, 2 отзыва пациентов, места работы, 1 категория, стаж 18 лет.

Обновлено 20.10.2016

Сообщить об ошибке

Образование

Квалификации

Рейтинг

Отзывы

Образование

2005
Кемеровская государственная медицинская академия
Базовое образование
2008
Кемеровская государственная медицинская академия
Интернатура

Повышение квалификации

2009
Профессиональная переподготовка по специальности «Мануальная терапия», Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей
2011
Профессиональная переподготовка по специальности «Иглорефлексотерапия», Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей
2013
Сертификационный цикл по специальности «Неврология», Кемеровская государственная медицинская академия
2014
Сертификационный цикл по специальности «Мануальная терапия», Российский научный центр медицинской реабилитации и курортологии
2014
Сертификационный цикл по специальности «Физиотерапия», Российский научный центр медицинской реабилитации и курортологии

Рейтинг

Отзывы

Народный рейтинг +2.

Обследование +2.0

Эффективность лечения +2.0

Отношение к пациенту +2.0

Информирование +2.0

Посоветуете ли врача? +2.0

Рейтинг снижен: врач не подтвердил стаж, категорию и учёную степень

Стаж18 лет

КатегорияПервая

Учёная степеньНеизвестна

Отзывы

Пациент
+7-905-70XXXXX

20 октября 2016
в 13:50

+2.0 отлично

Тщательность обследования

Эффективность лечения

Отношение к пациенту

Информирование пациента

Посоветуете ли Вы врача?

Отлично

Однозначно

Проверено (1)

Гость

18 августа 2016
в 12:00

+2. 0 отлично

Дмитрий Торопов, 97 лет, Нижний Тагил

Дмитрий Торопов, 97 лет, Нижний Тагил — (93) друзей профиль в одноклассниках

97 лет, Россия, Нижний Тагил

Заходил 13 июня 2022, 07:47

Фотографии пользователя Дмитрий Торопов в одноклассниках

Друзья 93

Николай Антипин

Виктория Беляевская

Илья Климов

Григорий Никифоров

Юлия Долматова

Илья Котельников

Эдик Корепанов

Никита Пермяков

Сергей Хлебановский

Татьяна Патцук

Екатерина )))

Илья Котельников

Саня Пирожков

Александр Андросенко

Владимир Глуходед

Алексей Коротаев

Александр Козлов

Венер Хафизов

Татьяна Проказина

Сергей Брусницын

Alexandr Perminov

Алексей Пырин

Сергей Федорец

Константин Лебедев

Арина Рочева

Сергей Болтачев

Надежда Роева

Татьяна Хохлова

Загрузить еще

Родина — Россия

93 друзей в Одноклассниках

Проживает в городе Нижний Тагил

Знак зодиака — Телец

День рождения 03 мая

Пожалуйста, сообщите нам причину, по которой страница http://okigo. ru/user/okid460607214969 должна быть проверена

Выберите причину жалобы: *

— Выберите причину — ПорнографияРассылка спамаОскорбительное поведениеРекламная страницаДругое

E-mail: *

Комментарий: *

Дата: *

Изображение: *

E-mail: *

Комментарий: *

‹›×Посмотреть друзей

Штат представляет программу помощи сельской местности на 9 миллиардов долларов

Эксперты говорят, что правительство должно выйти на село. Владимир Филонов

Правительство и частные инвесторы потратят 300 миллиардов рублей (9 миллиардов долларов) на повышение инвестиционного потенциала сельских территорий и сделают их привлекательными для молодых специалистов, но эксперты считают, что новая госпрограмма слишком мала, чтобы хотя бы начать обращать вспять упадок Русская деревня.

«Эта программа является сигналом для сельских общин, что им не следует рассчитывать на государство», — заявил на пресс-конференции во вторник заместитель председателя сельскохозяйственного комитета Торгово-промышленной палаты Павел Грудинин. «Самое главное для чиновников — проводить спортивные соревнования и различные саммиты, а фермер остается без денег и поддержки».

Федеральная программа, утвержденная премьер-министром Дмитрием Медведевым 10 июля, предусматривает планы развития сельских территорий до 2020 года.

Правительство запланировало на программу 300 млрд рублей, из которых 90 млрд рублей поступит из федерального бюджета, 150 млрд рублей — за счет регионов и муниципалитетов и еще 50 млрд рублей — из частных источников, сообщил глава сельской администрации Дмитрий Торопов. Департамент развития Министерства сельского хозяйства.

Эти деньги пойдут на обеспечение жильем 42 000 молодых семей, строительство школ и медицинских центров, а также подключение сел к сетям газо- и водоснабжения.

Но эксперты задались вопросом, хватит ли бюджета программы на помощь сельской местности. Около 30 процентов россиян в настоящее время проживают в деревнях, поэтому 90 миллиардов рублей, которые федеральное правительство планирует направить на эту задачу, — это мизерный вклад, сказал Грудинин.

«В регионах было недовольство тем, что федеральный бюджет не покроет все финансирование», — сказал Торопов. «Мы согласились с этим, и поэтому решили сконцентрировать все ресурсы и более эффективно вкладывать их в те сельские сообщества, где реализуются и будут развиваться инвестиционные проекты».

Большая часть денег программы будет выдана в виде грантов регионам, чьи предложения имеют больший инвестиционный потенциал, сказал он.

Но проблема здесь в том, что многим региональным властям не хватает денег, чтобы соответствовать федеральному финансированию, считает аналитик Центра экономических прогнозов Дарья Снитко.

Несколько регионов недавно отказались от 5 млрд рублей федерального финансирования сельского хозяйства, потому что у них не было денег на софинансирование.

Даже если основные этапы программы будут достигнуты, сельские жители все равно будут далеки от того же уровня комфорта, что и горожане. Грудинин сказал, что с самого начала программа направлена только на то, чтобы помочь поднять доходы сельских жителей до 50 процентов от доходов в городах.

Анатолий Упадышев, член общественного совета при Минсельхозе, согласился, что эти результаты не помогут удержать молодежь и специалистов в селах.

«Если государство не дотянется до села, то через 5-10 лет там останутся только старушки», — сказал Упадышев. «Если не будет школ, почты, отделения Сбербанка и нормальной дороги, молодежь просто уедет».

Связаться с автором по электронной почте [email protected]

Статьи по теме :

Правительство потратит 9 миллиардов долларов на сельскую Россию
Новая Москва: цивилизация старого стиля
Стеклянный и стальной стебель Подмосковье

Рамановское рассеяние сверхрешеток квантовых точек InAs/AlAs, выращенных на (001) и (311)B GaAs поверхностях 001) и (311)B GaAs.

Дублеты свернутых продольных акустических фононов вплоть до пятого порядка наблюдались в спектрах комбинационного рассеяния (001)- и (311)B-ориентированных сверхрешеток квантовых точек, измеренных в геометриях поляризованного рассеяния. Энергетические позиции свернутых акустических фононов хорошо описываются моделью упругого континуума. Помимо акустических фононов, в спектрах проявляются особенности, связанные с ограниченными поперечными и продольными оптическими, а также интерфейсными фононами в квантовых точках и спейсерных слоях. Их частотные положения обсуждаются с точки зрения удержания фононов, упругого напряжения и перемешивания атомов.

История вопроса

Полупроводниковые наноструктуры, такие как сверхрешетки с квантовыми точками (КТ СР), выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) в режиме роста Странски-Крастанова, предлагают уникальную возможность конструирования их электронных и фононных спектров с наиболее подходящими свойствами для наноустройств. Среди оптических методов рамановская спектроскопия считается наиболее информативным методом определения фононных спектров полупроводниковых наноструктур, в том числе СР КТ, состоящих из различных материалов (Ge/Si, (In,Ga,Al)Sb/GaAs, In(As,Sb )/InP, InAs/(Al,Ga)As) [1–8].

Фононный спектр СР КТ представляет фундаментальный интерес из-за новых физических явлений (таких как локализация оптических фононов, интерференция акустических фононов и перенормировка спектра фононов интерфейса в СР КТ). Он также предоставляет ценную информацию о структурных параметрах КТ, таких как размер и форма КТ, а также о деформации и смешении атомов в структурах КТ. Большинство опубликованных данных, относящихся к фононам в СР КТ, получены в экспериментах по комбинационному рассеянию и относятся в основном к изучению резонансных эффектов на акустических и оптических фононах в СР Ge/Si КТ [1, 2], к установлению фононных спектров в новых СР КТ [3, 4], а также исследованию эффектов топологии, а также деформации и перемешивания оптических и интерфейсных фононов в СР КТ InAs/AlGaAs [5–7]. КТ InAs/AlAs представляют особый интерес, поскольку они имеют электронные переходы запрещенной зоны в видимом спектральном диапазоне (600–700 нм), что делает возможным эксперименты по резонансному комбинационному рассеянию света [8].

Большинство опубликованных экспериментов по КР были выполнены для СР КТ, выращенных вдоль главной кристаллографической оси [001]. Для этих структур, согласно рамановским правилам отбора, при обратном рассеянии от плоских поверхностей СР могут наблюдаться только продольные оптические (LO) фононы, тогда как для зондирования поперечных оптических (TO) фононов следует использовать достаточно сложные геометрии рассеяния [6] . СР КТ, выращенные на поверхностях с высоким показателем преломления, представляют значительный интерес для оптоэлектронных приложений, поскольку они обнаруживают интенсивную фотолюминесценцию с узкой запрещенной зоной. Эти структуры гораздо меньше изучены спектроскопией комбинационного рассеяния, несмотря на то, что правила отбора комбинационного рассеяния позволяют одновременно наблюдать как LO, так и TO фононы в экспериментах по обратному рассеянию от плоской поверхности. Здесь мы сообщаем о сравнении спектров комбинационного рассеяния света акустическими и оптическими фононами в СР КТ InAs/AlAs, изготовленных на поверхностях (001) и (311)B GaAs в одном и том же процессе роста.

Методы

СР КТ InAs/AlAs были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии в системе Riber 32P одновременно на (001)- и (113)B-ориентированных подложках GaAs с использованием режима роста Странски-Крастанова. Образцы состоят из 20 периодов слоев КТ InAs номинальной толщиной 2,4 монослоя, разделенных прокладочными слоями AlAs толщиной 6, 8, 10 и 13 нм (образцы A _{n ).}, Б _н , С _№ и D _н соответственно). Здесь индексы n = 001 и 113 отмечают направление роста образца. Температура подложки составляла 460°C при росте КТ InAs при давлении мышьяка 8 × 10

−6 Торр. После нанесения номинального количества островкового материала рост КТ InAs прерывался на 10 с.

Рост контролировали с помощью дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО). По данным ДБЭО переход от двумерного к трехмерному режиму роста (начало формирования островков) для всех образцов происходит после осаждения 1,8 монослоя материала КТ. После формирования точек первые 5 нм спейсеров AlAs выращивались при той же температуре, что и КТ (460°C). Затем температуру повышали до 610°С и осаждали остаток спейсера из AlAs.

Спектры комбинационного рассеяния света в акустических и оптических фононах регистрировали при Тл = 20 и 300 К с использованием тройного спектрометра Dilor XY800 (HORIBA JobinYvon Inc., Эдисон, Нью-Джерси, США). Для возбуждения использовались различные линейки лазеров Ar ⁺ и Kr

+ (от 457,9 до 676,4 нм). Спектры измерялись в геометриях обратного рассеяния, параллельных осям роста, как в поляризованных (z(xx) − z, z′(x′x′) − z′), так и в деполяризованных конфигурациях (z(yx) − z и z′( y′x′) − z′) с точками x, y, z, x′, y′, z′, параллельными [100], [010], [001], [−110], [33–2], и [113] соответственно.

Спектральное разрешение 2 см ⁻¹ во всем спектральном диапазоне.

Результаты и обсуждение

Акустические фононы

Исследуемые структуры охарактеризованы методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения (ПЭМ высокого разрешения). ПЭМ-изображения поперечного сечения образцов B ₀₀₁ и B ₁₁₃ показаны на рис. 1 и показывают высокоупорядоченные периодические структуры со случайно распределенными КТ InAs в слоях. КТ InAs имеют пирамидальную форму с длиной основания примерно от 10 до 15 нм и высотой примерно от 1,5 до 2 нм для обеих ориентаций подложки. Изображения HRTEM структур InAs QD демонстрируют наличие смачивающего слоя InAs. Эти данные хорошо согласуются с ранее опубликованными [6].

Рисунок 1

Изображения поперечного сечения TEM и HRTEM. СР КТ InAs/AlAs, выращенных на ( a ), ( b ) (001)- и ( c ), ( d ) (113)B-ориентированном GaAs.

Увеличить

На рис. 2а представлены спектры КРС образцов В ₀₀₁ и В ₁₁₃, измеренные в акустической области спектра в поляризованных (z(xx) − z и z′(x′x′) − z ′) рассеивающие геометрии. В деполяризованных (z(yx) − z и z′(y′x′) − z′) геометриях рассеяния спектры комбинационного рассеяния не имеют особенностей в акустическом диапазоне спектра; поэтому на рис. 2 они не показаны. Согласно правилам отбора, спектры КР образцов Б ₀₀₁ и B ₁₁₃, измеренные в поляризованной геометрии, должны выявить дублеты продольных акустических (LA) и квазипродольных акустических (QLA) свернутых фононов. Действительно, дублеты свернутых акустических фононов отчетливо наблюдаются вплоть до пятого порядка (рис. 2а). В случае СР КТ, выращенных в направлении (113)B, акустические фононы, распространяющиеся в направлении (113), имеют смешанный LA-TA характер [9]. Скорости звука мод QLA и квазиТА рассчитывались в [9]. Используя модель упругого континуума [10], были рассчитаны дисперсии свернутых LA- и QLA-фононов (рис. 2б). Частотные положения свернутых LA-фононов определялись при волновом векторе рассеяния qs=4πnλL, где λ _L = 514,5 нм — лазерная линия, n — показатель преломления СР КТ на 514,5 нм. Наилучшее совпадение расчетных и экспериментальных данных получено для параметров, взятых из [11]. Период структуры, полученный в результате расчета, совпадает с номинальной толщиной, установленной в процессе МЛЭ. Отличное совпадение экспериментального и расчетного частотного положения свернутых LA-фононов было получено также для образцов A ₀₀₁ , C ₀₀₁ и D ₀₀₁. Для образцов A ₁₁₃ , C ₁₁₃ и D ₁₁₃ рассчитана дисперсия свернутых QLA-фононов с учетом скоростей звука, рассчитанных для QLA-фононов, распространяющихся вдоль направления [113] [9]. Сравнение частотных положений свернутых акустических фононов, наблюдаемых в эксперименте, и в расчете с использованием в качестве параметра номинальной толщины СР КТ показано на рис. описание акустического спектра планарной полупроводниковой СР хорошо применимо к СР КТ InAs/AlAs, выращенных на поверхностях с ориентацией (001) и (113)B.

Рисунок 2

Спектры комбинационного рассеяния и дисперсия. ( a ) Спектры КР образцов B ₀₀₁ и B ₁₁₃ (синяя и красная кривые соответственно), измеренные в акустическом спектральном диапазоне при длине волны возбуждения 514,5 нм. ( b ) Дисперсия свернутых LA и QLA фононов, рассчитанная для образцов B ₀₀₁ и B ₁₁₃ номинальной толщины (синяя и красная кривые соответственно). Горизонтальная линия и сплошные синие символы указывают значение волнового вектора рассеяния, используемого в рамановском эксперименте, и частоты свернутых LA-фононов.

Полноразмерное изображение

Рис. 3

Спектры комбинационного рассеяния и расчетные положения частот. ( A ) Рамановские спектры для образцов A ₀₀₁, B ₀₀₁, C ₀₀₁, D ₀₀₁ и A ₁₁₃, C ₁₁₃, D _{113 93}, C ₁₁₃, D _{113 113}, C ₁₁₃, D _{113 9003} (Bleed Curvious и Cride Curve соответственно), измеренные в акустическом спектральном диапазоне с длиной волны возбуждения 514,5 нм. ( b ) Расчетные частотные положения свернутых фононов LA и QLA показаны синим и красным треугольниками соответственно.

Увеличить

Оптические фононы

Спектры КР образцов, выращенных на (001)- и (113)B-ориентированном GaAs, были также исследованы в спектральной области оптических фононов. На рис. 4 представлены типичные спектры КРС (для образцов B ₀₀₁ и B ₁₁₃ ), измеренные в спектральной области оптических фононов InAs и AlAs. В случае образца B ₀₀₁ LO-фононы в КТ InAs наблюдаются в поляризованной геометрии. Видно, что характеристика, приписываемая LO-фононам, локализованным в КТ InAs/AlAs, смещается от 255 до 242 см ^-1 с уменьшением длины волны возбуждения с 676,4 до 457,9 нм (с 1,83 до 2,71 эВ), в то время как частотное положение ТО оптических фононов от GaAs (268 см ^-1 ) остается неизменным. Такое поведение LO-фононов в КТ InAs уже объяснялось распределением КТ по размерам и удержанием фононов в точках малого размера [12, 13]. В больших КТ эффекты удержания фононов пренебрежимо малы, а на оптические энергии фононов влияет только деформация. Эти КТ имеют более низкие энергии электронных межзонных переходов (менее 1,8 эВ). Вклад этих КТ в спектры КР сильнее для линий возбуждения в красной области спектра, которые ближе к резонансу с электронными переходами. Таким образом, положение LO-фононных линий КТ InAs в спектрах КРС при возбуждении с энергией 1,83 эВ (255 см·⁻¹ ) определяется преимущественно распределением деформации, тогда как влиянием удержания фононов можно пренебречь. КТ меньшего размера имеют более высокие энергии межзонных переходов. Поэтому относительный вклад мелких точек в спектры КР увеличивается при более высоких энергиях возбуждения. В точках меньшего размера эффект удержания фононов становится более значительным и вызывает заметное уменьшение фононных частот (до 242 см ^-1 ).

Рисунок 4

Спектры комбинационного рассеяния образцов B ₀₀₁ и Б ₁₁₃ (синяя и красная кривые соответственно). Измерено в спектральных диапазонах ( a ) InAs, измеренных как в поляризованной, так и в деполяризованной (тонкие линии) геометрии, и ( b ) оптических фононов AlAs, измеренных в поляризованной геометрии с разными длинами волн возбуждения.

Полноразмерное изображение

Согласно [13] атомное перемешивание In/Al относительно невелико для данной температуры роста, а содержание Al в КТ InAs не превышает 15%. Как видно из рис. 3, поведение LO-фононов в зависимости от энергии возбуждения в КТ InAs, выращенных на (113)B-ориентированных поверхностях GaAs (образец B ₁₁₃ ), аналогично наблюдаемому для КТ InAs на (001 ) GaAs (образец B ₀₀₁ ). Однако частотное положение LO-фонона в образце B ₁₁₃ закономерно ниже (на 2–5 см ⁻¹ ), чем для образца B ₀₀₁ . Это указывает на усиленное перемешивание атомов In/Al, приводящее к увеличению содержания Al в КТ InAs на (113)B-GaAs (до 20%). Спектры комбинационного рассеяния света КТ InAs, выращенных на (113)B-ориентированном GaAs, измеренные в деполяризованной геометрии, обнаруживают дополнительные особенности около 230 см–1 ^–1, приписываемых TO-фононам, локализованным в КТ InAs. Эти частотные положения особенностей остаются неизменными из-за незначительной дисперсии TO-фононов в InAs [11, 13].

Рамановские спектры КТ InAs, измеренные в поляризованной геометрии с разными длинами волн возбуждения, демонстрируют интересное поведение интерфейсных фононов (рис. 4б). В этой геометрии наблюдаются AlAs-подобные интерфейсные (IF) фононы, локализованные вблизи КТ InAs. Их частотные позиции расположены между частотами LO и TO мод и сдвинуты от 380 до 39.5 см ^-1 при уменьшении длины волны возбуждения (увеличении энергии возбуждения) от 676,4 до 457,9 нм (от 1,83 до 2,71 эВ). Такое поведение можно объяснить комбинационным рассеянием массива КТ InAs, имеющих не только разный размер, но и разное соотношение размеров КТ (высота КТ/размер основания). Уже было показано [5], что частоты IF-фононов зависят от аспектного отношения в КТ InAs/AlAs, имеющих сплюснутую форму. В случае сферических КТ InAs-подобные IF-фононы имеют частоты, расположенные посередине между частотами LO- и TO-фононов. С уменьшением аспектного отношения частоты IF-фононов стремятся к частотам LO-фононов в КТ InAs. Из рис. 3б видно, что IF-фононы в образце B ₁₁₃ имеют более высокие частоты при более высоких энергиях возбуждения, чем в образце B ₀₀₁ , что указывает на более низкое соотношение сторон КТ для образца B ₀₀₁ .

Таким образом, с увеличением энергии возбуждения в рамановском процессе избирательно возбуждаются КТ InAs, имеющие меньшую высоту и больший размер основания. Это достигается за счет уменьшения частот фононов InAs, локализованных в КТ InAs/AlAs, и увеличения частот IF AlAs-подобных фононов, локализованных вблизи КТ InAs, имеющих меньшее аспектное отношение.

Выводы

СР КТ InAs/AlAs были выращены на (001)- и (113)B-ориентированном GaAs с отличным оптическим и кристаллическим качеством, подтвержденным просвечивающей электронной микроскопией высокого разрешения и комбинационным рассеянием света на свернутых акустических фононах, наблюдаемых вплоть до пятый порядок. Спектры КРС были интерпретированы в рамках модели упругого континуума, и было получено отличное соответствие между измеренными и расчетными данными. Зависимости оптических и межфазных мод в структуре КТ от энергии возбуждения объяснены в терминах селективного по размеру и форме комбинационного рассеяния света.

Информация об авторах

AM — старший научный сотрудник и доктор наук, штат Нью-Йорк — старший научный сотрудник и доктор философии. студент, А.Т. – доктор и старший научный сотрудник, Д.Д. – научный сотрудник Института физики полупроводников, Новосибирск, Россия. Э.С. является кандидатом наук. студент и DRTZ является профессором физики полупроводников Хемницкого технологического университета, Хемниц, Германия.

Литература

Млая А., Гроенен Дж. Рассеяние света в твердых телах IX. In Резонансное комбинационное рассеяние света на акустических фононах в квантовых точках . Под редакцией: Кардона М., Мерлин Р. Спрингер, Гейдельберг; 2007: 237–314.
Google Scholar
Милехин А.Г., Никифоров А.И., Пчеляков О.П., Шульце С., Зан ДРВ: Избирательное по размеру комбинационное рассеяние в самособирающихся сверхрешетках Ge/Si с квантовыми точками. Нанотехнологии 2002, 13: 55–58. 10.1088/0957-4484/13/1/312
Артикул Google Scholar
Тенне Д.А., Хейслер В.А., Торопов А.И., Бакаров А.К., Гутаковский А.К., Зан Д.Р.Т., Шебанин А.П.: Рамановское исследование самоорганизующихся островков GaAs и AlAs, встроенных в InAs. Phys Rev B 2000, 61: 13785–13790. 10.1103/PhysRevB.61.13785
Статья Google Scholar
Armelles G, Utzmeier T, Postigo PA, Briones F, Ferrer JC, Peiro P, Cornet A: Рамановское рассеяние квантовых точек InSb, выращенных на подложке InP. J Appl Phys 1997, 81: 6339–6342. 10.1063/1.365169
Артикул Google Scholar
Ю. Л. М., Милехин А. Г., Торопов А. И., Бакаров А. К., Гутаковский А. К., Тенне Д. А., Шульце С., Зан ДРТ: Интерфейсные фононы в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми точками. ЖЭТФ 2005, 101: 554–561. 10.1134/1.2103225
Артикул Google Scholar
Милехин А.Г., Торопов А.И., Бакаров А.К., Тенне Д.А., Занелатто Г., Галзерани Дж.К., Шульце С., Зан ДРТ: Интерфейсные фононы в структурах квантовых точек InAs и AlAs. Phys Rev B 2004, 70: 085313–1-5.
Артикул Google Scholar
Ибанез Дж., Куско Р., Артус Л., Хенини М., Патане А., Ивз Л.: Рамановское рассеяние в самоорганизующихся квантовых точках InAs/(AlGa)As: свидетельство смешивания Al. Appl Phys Lett 2006, 88: 141905–1-3.
Артикул Google Scholar
Милехин А.Г., Торопов А.И., Бакаров А.К., Шульце С., Зан ДРВ: Резонансное комбинационное рассеяние в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs. Письма ЖЭТФ 2006, 83: 505–508. 10.1134/S0021364006110087
Артикул Google Scholar
Попович З.В., Спитцер Дж., Руф Т., Кардона М., Нотцель Р., Плуг К. Свернутые акустические фононы в гофрированных сверхрешетках GaAs/AlAs, выращенных вдоль направления 311. Phys Rev B 1993, 48: 1659–1654. 10.1103/PhysRevB.48.1659
Статья Google Scholar
Рытов М. Акустические свойства тонкослоистой среды. СовФиз Акуст 1956, 2: 68–80.
Google Scholar
«>
Madelung O, Schulz H Новая серия. В таблицах Ландольта-Борнштейна . Спрингер, Берлин; 1987. том 17а том 17а
Google Scholar
Тенне Д.А., Бакаров А.К., Торопов А.И., Зан ДРТ: Рамановское исследование самоорганизующихся квантовых точек InAs, внедренных в AlAs: влияние температуры роста. Physica E 2002, 13: 199–202. 10.1016/S1386-9477(01)00519-7
Артикул Google Scholar
Милехин А., Торопов А., Калагин А., Зан DRT: Рамановское исследование перемешивания атомов в квантовых точках InAs/AlAs. Китайский журнал физики 2011, 49: 71–76.
Google Scholar

Скачать ссылки

Благодарности

Работа выполнена при поддержке следующих проектов: DFG проект ЗА146/22-1, РФФИ-ДФГ 11-02-91348, РФФИ 11-02-

-Укр_ат, Программа Президиума РАН (проект 24. 27) и IRTG (грант ГРК 1215).

Информация об авторе

Авторы и организации

Institute of Semiconductor Physics, Lavrentjevav 13, Novosibirsk, 630090, Russia
Alexander Milekhin, Nikolay Yeryukov, Alexander Toropov & Dmitry Dmitriev
Novosibirsk State University, Pirogovstr 2, Novosibirsk, 630090, Russia
Alexander Milekhin
Физика полупроводников, Хемницкий технологический университет, Хемниц, D-09107, Германия
Евгения Шеремет и Дитрих Р.Т. Зан

Авторы

Александр Милехин
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Николай Ерюков
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Александр Торопов
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Академия
Дмитрий Дмитриев
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Евгения Шеремет
Посмотреть публикации автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar
Dietrich RT Zahn
Просмотр публикаций автора
Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

Автор, ответственный за переписку

Александр Милехин.

Дополнительная информация

Конкурирующие интересы

Авторы заявляют об отсутствии конкурирующих интересов.

Вклад авторов

Все авторы прочитали и одобрили окончательный вариант рукописи.

Оригинальные файлы изображений, представленные авторами

Ниже приведены ссылки на оригинальные файлы изображений, представленные авторами.

Авторский файл рисунка 1

Авторский файл рисунка 2

Авторский файл рисунка 3

Авторский файл рисунка 4 для рисунка 5

Оригинальный файл авторов для рисунка 6

Права и разрешения

Открытый доступ Эта статья распространяется на условиях международной лицензии Creative Commons Attribution 2.0 (https://creativecommons.org/ licenses/by/2.0), что разрешает неограниченное использование, распространение и воспроизведение на любом носителе при условии надлежащего цитирования оригинальной работы.

Понедельник - суббота		8:00 - 20:00
Воскресенье		10:00 - 18:00

Торопов Дмитрий Олегович — 2 отзыва | Москва

Образование

Повышение квалификации

Рейтинг

Отзывы

Популярные мануальные терапевты

Дмитрий Торопов, 97 лет, Нижний Тагил

Фотографии пользователя Дмитрий Торопов в одноклассниках

Друзья 93

Николай Антипин

Виктория Беляевская

Илья Климов

Григорий Никифоров

Юлия Долматова

Илья Котельников

Эдик Корепанов

Никита Пермяков

Сергей Хлебановский

Татьяна Патцук

Екатерина )))

Илья Котельников

Саня Пирожков

Александр Андросенко

Владимир Глуходед

Алексей Коротаев

Александр Козлов

Венер Хафизов

Татьяна Проказина

Сергей Брусницын

Alexandr Perminov

Алексей Пырин

Сергей Федорец

Константин Лебедев

Арина Рочева

Сергей Болтачев

Надежда Роева

Татьяна Хохлова

Штат представляет программу помощи сельской местности на 9 миллиардов долларов

Рамановское рассеяние сверхрешеток квантовых точек InAs/AlAs, выращенных на (001) и (311)B GaAs поверхностях 001) и (311)B GaAs.

История вопроса

Методы

Результаты и обсуждение

Акустические фононы

Оптические фононы

Выводы

Информация об авторах

Литература

Благодарности

Информация об авторе

Авторы и организации

Автор, ответственный за переписку

Дополнительная информация

Конкурирующие интересы

Вклад авторов

Оригинальные файлы изображений, представленные авторами

Авторский файл рисунка 1

Авторский файл рисунка 2

Авторский файл рисунка 3

Авторский файл рисунка 4 для рисунка 5

Оригинальный файл авторов для рисунка 6

Права и разрешения

Добавить комментарий Отменить ответ