Воеводин где принимает: Воеводин Сергей Михайлович — запись на прием к врачу, где принимает, отзывы о враче

Среднее время ожидания

5 — 15 минут: среднее время ожидания приёма врача без предварительной записи.

Образование

• 1993 Кемеровская государственная медицинская академия (лечебное дело ) Базовое образование
• 2017 Кемеровская государственная медицинская академия ( анестезиология и реаниматология) Повышение квалификации

Категория и степень

Врачу присвоена категория: высшая.

Врач высшей категории: характеристика
Высшая категория присваивается врачам, которые проработали не менее десяти лет по аттестуемой должности. Обязательной является явка на специально организованную комиссию. При этом сдается отчет о проделанной работе за последние три года, проводится тестирование и собеседование. Категория действительна в течение пятилетнего срока со дня приказа о ее присвоении, далее ее нужно подтверждать посредством переаттестации. Если кандидат не явился на переаттестацию, то категория утрачивается. Однако срок действия квалификационной категории может быть продлен по настоянию главного врача лечебного учреждения.

Врачу присвоена степень: первая.

Степень кандидата наук: характеристика
Кандидат наук — это ученая степень аспиранта, который успешно защитил кандидатскую диссертацию. Среди научно-педагогического состава вузов это, пожалуй, самая распространенная степень. Иногда кандидата наук присуждают и без защиты диссертации, но в таком случае вклад в науку должен быть внушительным. После получения этой степени кандидат наук может претендовать на должность доцента и готовиться к защите докторской диссертации. Врач, который является кандидатом наук, одновременно преподает в высшем учебном заведении и принимает пациентов. Также он может иметь некоторую прибавку к зарплате за титул. Для пациентов это совершенно не существенно.

Стаж работы

Опыт работы врачом: более 29 лет .

Отзывы и оценки

—

Оценки

• Вызывает доверие

• Уделяет должное время пациенту

• Врач внимателен и пунктуален

• Убедительно отвечает на вопросы

Отзывы

Оставить отзыв

А вы бы порекомендовали этого врача другим пациентам?

Добавить отзыв

Коллеги

• Ильинская Елена Викторовна

  андролог

• Майсеенок Павел Васильевич

  детский ортопед

• Алексеев Андрей Михайлович

  врач узи

• Шахшнейдер Надежда Михайловна

  кардиолог

• Холопов Артур Геннадьевич

  мануальный терапевт

• Исаков Иван Николаевич

  офтальмолог (окулист)

• Кондратова Валерия Владимировна

  врач узи

• Борзыкин Сергей Владимирович

  невролог

• Потехин Владимир Константинович

  лазерный хирург

• Воловик Ольга Леонидовна

  офтальмолог (окулист)

• Баховудинов Алишер Хайдарходжаевич

  ортопед

• Талерчик Михаил Алексеевич

  ортопед

Услуги

• Первичная консультация

• Приём врача

• Повторный приём врача

• Диагностика и назначение лечения

Лечение

Врач Воеводин Сергей Викторович занимается лечением и диагностикой заболеваний по специальностям: анестезиолог-реаниматолог. Одни из таких заболеваний перечислены ниже.

• Как врач по специальности «Анестезиолог-реаниматолог «: введение анестезии, оказание неотложной помощи, гемодиализ, установка временного кардиостимулятора, любальная пункция.

Основная специальность врача: Анестезиолог-реаниматолог.

Скачать карточку врача

Пациентам на заметку

• Что делает Анестезиолог-реаниматолог?
  Реаниматолог – врач, оказывающий срочную медицинскую помощь в ситуациях, когда жизнь человека находится под угрозой (при остановке сердца, дыхательной недостаточности и других). Именно он выводит из терминальных (пограничных) состояний и клинической смерти. Вмешательство специалиста требуется при: ожогах, отморожениях, травмах, тяжелых инфекциях, шоковых состояниях. Без консультации реаниматолога не обойтись, если планируется хирургическое вмешательство. Он занимается ведением пациентов после уже после операции, вплоть до выписки из больницы. Пациенты этого врача не всегда бывают в сознании. Но и при таких условиях главными задачами специалиста считаются: составление картины заболевания на основе документации, опроса пациента и его родственников, выявление факторов риска (аллергические реакции, индивидуальная непереносимость), проведение диагностики (анализов крови, ЭКГ и др.), оперативный выбор методов оказания помощи.

Другие врачи по специальности «анестезиолог-реаниматолог» в Новокузнецке

• Воеводина Анастасия Юрьевна

  Анестезиолог-реаниматолог

• Подгорный Сергей Федорович

  Анестезиолог-реаниматолог

• Косик Юрий Алексеевич

  Анестезиолог-реаниматолог

• Золоева Олеся Сергеевна

  Анестезиолог-реаниматолог

• Ишутин Денис Сергеевич

  Анестезиолог-реаниматолог

• Макаров Денис Николаевич

  Анестезиолог-реаниматолог

• Топчин Амаду Алексеевич

  Анестезиолог-реаниматолог

• Трашахов Михаил Владимирович

  Анестезиолог-реаниматолог

• Топчина Алина Леонидовна

  Анестезиолог-реаниматолог

• Рыбкин Борис Юрьевич

  Анестезиолог-реаниматолог

• Павленко Андрей Андреевич

  Анестезиолог-реаниматолог

• Один Владимир Евгеньевич

  Анестезиолог-реаниматолог

Все врачи по специальности анестезиолог-реаниматолог в Новокузнецке

Термическая анизотропия в тонких нанокристаллических пленках MoS2

Крис Мураторе,†* ^аб Викас Варшней,† ^{до н. э.} Джейми Дж. Генглер, ^корп. Цзяньцзюнь Ху, ^будет Джон Э. Бультман, ^будет Аджит К. Рой, ^б Барри Л. Фермер ^б а также Андрей А. Воеводин ^б

Принадлежности автора

* Соответствующие авторы

^и Кафедра химической инженерии и материаловедения, Дейтонский университет, Дейтон, Огайо, 45469, США
Электронная почта: cmuratore1@udayton. edu

^б Управление материалов и производства, Исследовательская лаборатория ВВС, База ВВС Райт-Паттерсон, Огайо, 45433, США
Электронная почта: [email protected]

^с Universal Technology Corporation, Дейтон, Огайо, 45432, США

^д Spectral Energies LLC, 5100 Springfield Street, Suite 301, Dayton, OH 45431, США

^и Исследовательский институт Дейтонского университета, 300 Колледж-Парк, Дейтон, Огайо, 45469, США

Аннотация

rsc.org/schema/rscart38″> В этой работе мы выращиваем тонкие пленки MoS ₂ (50–150 нм) равномерно на больших площадях (> 1 см ² ) с сильной базисной плоскостью (002) или краевой плоскостью (100) для характеризуют тепловую анизотропию. Результаты измерений коррелируют с молекулярно-динамическим моделированием теплового переноса для совершенных и дефектных кристаллов MoS ₂ . Корреляция между предсказанной (моделирование) и измеренной (экспериментальной) теплопроводностью объясняется такими факторами, как ориентация и размер кристаллических доменов, тем самым демонстрируя важность теплового граничного рассеяния в ограничении теплопроводности в нанокристаллическом MoS ₂ тонкие пленки. Кроме того, мы демонстрируем, что на поперечную теплопроводность пленок сильно влияет воздействие влажности окружающей среды.

Гексагональный MoTe2 с аморфным пассивирующим слоем BN для повышения стойкости к окислению и долговечности двумерных полевых транзисторов

1. Гейм А.К., Григорьева И.В. Гетероструктуры Ван-дер-Ваальса. Природа. 2013;499 (7459): 419–25. doi: 10.1038/nature12385. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

2. Акинванде Д., Петроне Н., Хон Дж. Двумерная гибкая наноэлектроника. Нац коммун. 2014;5:5678. doi: 10.1038/ncomms6678. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

3. Fiori G, et al. Электроника на основе двумерных материалов. Природные нанотехнологии. 2014;9(10):768–79. doi: 10.1038/nnano.2014.207. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

4. Ganatra R, Zhang Q. Малослойный MoS2: многообещающий слоистый полупроводник. АКС нано. 2014; 8: 4074–99. doi: 10.1021/nn405938z. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

5. Bhimanapati GR, et al. Последние достижения в области двумерных материалов помимо графена. АКС Нано. 2015;9(12):11509–11539. doi: 10.1021/acsnano.5b05556. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

6. Lezama IG, et al. Переход от непрямой к прямой запрещенной зоне в малослойном MoTe(2) Nano Lett. 2015;15(4):2336–42. doi: 10.1021/nl5045007. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

7. Cho S, et al. Фазовый паттерн для омического контакта гомоперехода в MoTe2. Наука. 2015;349(6248): 625–8. doi: 10.1126/science.aab3175. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

8. Qi Y, et al. Сверхпроводимость кандидата в полуметаллы Вейля MoTe2. Нац коммун. 2016;7:11038. doi: 10.1038/ncomms11038. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

9. Sankar R, et al. Полиморфный слоистый MoTe2 от полупроводника, топологического изолятора, до полуметалла Вейля. Химия материалов. 2017;29(2):699–707. doi: 10.1021/acs.chemmater.6b04363. [Перекрестная ссылка] [Академия Google]

10. Keum DH, et al. Раскрытие запрещенной зоны в малослойном моноклинном MoTe2. Физика природы. 2015;11(6):482–486. doi: 10.1038/nphys3314. [CrossRef] [Google Scholar]

11. Pradhan NR, et al. Полевые транзисторы на основе малослойного α-MoTe2. АКС Нано. 2014;8(6):5911–20. doi: 10.1021/nn501013c. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

12. Fathipour, S. et al . Расслоенные многослойные полевые транзисторы MoTe2. Письма по прикладной физике 105 (19) (2014).

13. Ji H, et al. Подавление межфазных флуктуаций тока в транзисторах MoTe2 с различными диэлектриками. Приложение ACS Матер. Интерфейсы. 2016;8(29):19092–9. doi: 10.1021/acsami.6b02085. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

14. Накахараи С., Ямамото М., Уэно К., Цукагоши К. Управление полярностью носителей в переходах Шоттки альфа-MoTe2 на основе слабого пиннинга на уровне Ферми. Интерфейсы приложений ACS. 2016;8(23):14732–9. doi: 10.1021/acsami.6b02036. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

15. Zhou H, et al. Рисунок листов MoS2 в зависимости от толщины с хорошо ориентированными треугольными ямками при нагревании на воздухе. Нано исследования. 2013;6(10):703–711. doi: 10.1007/s12274-013-0346-2. [CrossRef] [Google Scholar]

16. Nan H, et al. Сильное усиление фотолюминесценции MoS2 за счет создания дефектов и связывания кислорода. АКС Нано. 2014;8(6):5738–45. doi: 10.1021/nn500532f. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

17. Пакдель А., Бандо Ю., Гольберг Д. Нано-нитрид бора. Chem Soc Rev. 2014;43(3):934–59. doi: 10.1039/C3CS60260E. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

18. Dean CR, et al. Подложки из нитрида бора для высококачественной графеновой электроники. Природные нанотехнологии. 2010;5(10):722–726. doi: 10.1038/nnano.2010.172. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

19. Lee GH, et al. Гибкие и прозрачные полевые транзисторы MoS2 на гексагональных гетероструктурах нитрид бора-графен. АКС нано. 2013;7(9):7931–7936. doi: 10.1021/nn402954e. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

20. Ван С., Ван С., Уорнер Дж. Х. Все химические осаждения из паровой фазы MoS2: вертикальные гетероструктуры Ван-дер-Ваальса h-BN. АКС нано. 2015;9(5):5246–5254. doi: 10.1021/acsnano.5b00655. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

21. Yan A, et al. Прямой рост однослойного и многослойного MoS2 на h-BN с предпочтительными относительными углами поворота. Нано Летт. 2015;15(10):6324–31. doi: 10.1021/acs.nanolett.5b01311. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

22. Iqbal MW, et al. Высокомобильные и стабильные на воздухе однослойные полевые транзисторы WS2, зажатые между гексагональными пленками BN, выращенными методом химического осаждения из паровой фазы. Научный представитель 2015; 5:10699. doi: 10.1038/srep10699. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

23. Zhang Q, et al. Перенормировка запрещенной зоны и настройка работы выхода в гетероструктурах MoSe2/hBN/Ru(0001). Нац коммун. 2016;7:13843. doi: 10.1038/ncomms13843. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

24. Xu, S. et al . Высококачественная гетероструктура BN/WSe2/BN и ее квантовые осцилляции. Препринт на http://arxiv.org/abs/1503.08427 (2015 г.).

25. Бхиманапати, Г. Р., Главин, Н. Р. и Робинсон, Дж. А. В 2D Materials 1-е изд., том 95 (ред. Якопи, Ф., Бекл, Дж. Дж. и Джагадиш, К.), гл. 3 (Эльзевир, 2016).

26. Сонг Л. и др. Крупномасштабный рост и характеристика слоев атомарного гексагонального нитрида бора. Нано Летт. 2010;10(8):3209–15. doi: 10.1021/nl1022139. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

27. Ismach A, et al. К управляемому синтезу гексагональных пленок нитрида бора. Ас Нано. 2012;6(7):6378–6385. doi: 10.1021/nn301940k. [PubMed] [CrossRef] [Академия Google]

28. Shi Y, et al. Синтез малослойной тонкой пленки гексагонального нитрида бора методом химического осаждения из паровой фазы. Нано буквы. 2010;10(10):4134–4139. doi: 10.1021/nl1023707. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

29. Bresnehan MS, et al. Перспективы прямого выращивания пленок нитрида бора в качестве подложек для графеновой электроники. Журнал исследования материалов. 2013; 29: 459–471. doi: 10.1557/jmr.2013.323. [CrossRef] [Google Scholar]

30. Glavin NR, et al. Синтез малослойного гексагонального нитрида бора большой площади методом импульсного лазерного осаждения. Тонкие твердые пленки. 2014; 572: 245–250. doi: 10.1016/j.tsf.2014.07.059. [CrossRef] [Google Scholar]

31. Glavin NR, et al. Аморфный нитрид бора: универсальный сверхтонкий диэлектрик для 2D-наноэлектроники. Передовые функциональные материалы. 2016;26(16):2640–2647. doi: 10.1002/adfm.201505455. [CrossRef] [Google Scholar]

32. Uddin, MA et al . Повышение подвижности графеновых транзисторов на нитриде бора, нанесенном низкотемпературным импульсным лазером. Письма по прикладной физике 107 (20) (2015).

33. McConney ME, et al. Прямой синтез ультратонких дихалькогенидов переходных металлов с большой площадью и их гетероструктур на растяжимых полимерных поверхностях. Журнал исследования материалов. 2016;31(07):967–974. doi: 10.1557/jmr.2016.36. [CrossRef] [Google Scholar]

34. Yamamoto, et al. Сильное усиление рамановского рассеяния от объемно-неактивной колебательной моды в малослойном MoTe2. АКС Нано. 2014;8(4):3895–3903. doi: 10.1021/nn5007607. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

35. Puotinen D, Newnham RE. Кристаллическая структура MoTe2. Acta Crystallographica. 1961; 14(6):691–692. doi: 10.1107/S0365110X61002084. [CrossRef] [Google Scholar]

36. Goldstein T, et al. Комбинационное рассеяние света и аномальное отношение Стокса-анти-Стокса в атомных слоях MoTe2. Научный доклад 2016; 6: 28024. doi: 10.1038/srep28024. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

37. Руперт С., Аслан О.Б., Хайнц Т.Ф. Оптические свойства и ширина запрещенной зоны одно- и малослойных кристаллов MoTe2. Нано Летт. 2014;14(11):6231–6. doi: 10.1021/nl502557g. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

38. Vishwanath S, et al. Рост МЛЭ малослойного 2H-MoTe2 на трехмерных подложках. Журнал роста кристаллов. 2018; 482:61–69. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.024. [CrossRef] [Google Scholar]

39. Glavin NR, et al. Спектроскопия плазмы с временным и пространственным разрешением при импульсном лазерном осаждении сверхтонких пленок нитрида бора. Журнал прикладной физики. 2015;117:165305–10. дои: 10.1063/1.4919068. [CrossRef] [Google Scholar]

40. Rigosi AF, et al. Сохранение поверхностной проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь в крупномасштабном инкапсулированном эпитаксиальном графене, измеренное бесконтактными микроволновыми возмущениями резонатора. Маленький. 2017;13:1700452. doi: 10.1002/smll.201700452. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

41. Rigosi AF, et al. Электрическая стабилизация удельного поверхностного сопротивления в эпитаксиальных графеновых системах путем инкапсуляции аморфного нитрида бора. АСУ Омега. 2017;2(5):2326–2332. doi: 10.1021/acsomega.7b00341. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

42. Лин Ю.Ф. и соавт. Амбиполярные транзисторы MoTe2 и их применение в логических схемах. Доп. Матер. 2014;26(20):3263–9. doi: 10.1002/adma.201305845. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

43. Huang H, et al. Высокочувствительные фотодетекторы MoTe2 видимого и инфракрасного диапазона, усиленные эффектом фотозатвора.